Сканирующая туннельная микроскопия выявляет подповерхностную атомную структуру
Слева показана волновая функция магнитного состояния, проникающая через графен к железу, куда туннелируют электроны из магнитного зонда. Справа — два микроскопических изображения: контраст укладки слоев и карта локальной спиновой поляризации.
Учёные из Мюнстерского университета в Германии разработали новый способ изучения свойств материалов на атомном уровне с помощью сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Обычно этот метод позволяет рассматривать только самый верхний слой материала, но теперь исследователи смогли увидеть и свойства, скрытые под поверхностью.
Команда под руководством профессора Аники Шленхофф и доктора Мацей Базарника изучала тонкий слой железа, покрытый слоем графена — очень тонкой плёнкой из углерода. Они использовали особый вариант СТМ, который позволяет «заглянуть» глубже, благодаря изучению электронных состояний, находящихся не только на поверхности, но и чуть выше неё.
Эти электронные состояния, взаимодействуя с железом под графеном, сами приобретают магнитные свойства. Благодаря этому учёные смогли увидеть, как ведёт себя магнитный слой железа под графеном, а также изучить структуру и расположение атомов в обоих слоях с очень высокой точностью — вплоть до масштаба отдельных атомов.
Кроме того, новый метод помог понять, как именно атомы углерода в графене расположены относительно атомов железа под ним. Оказалось, что их положение меняется в зависимости от того, как слои уложены друг на друга. Раньше такие различия было невозможно увидеть обычной микроскопией.
Таким образом, новая техника позволяет одновременно исследовать и верхний слой материала, и скрытые под ним слои, раскрывая их структурные, электронные и магнитные свойства. Это открывает новые возможности для изучения сложных многослойных материалов и их взаимодействий.